ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret PN2222ATA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Transistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 10 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 625 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 300 MHz · VCE Sättigung (max.): 1 V
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | ON Semiconductor |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | TO-92-3 |
| Ausführung (Transistoren): | NPN |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS |
| Typ (Hersteller-Typ): | PN2222ATA |
| Montageart: | Durchführungsloch |
| Kollektor Reststrom I(CES): | 10 nA |
| Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 40 V |
| Collector-Strom I(C): | 600 mA |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: | 150 mA |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: | 10 V |
| DC Stromverstärkung (hFE): | 100 |
| Leistung (max) P(TOT): | 625 mW |
| Transitfrequenz f(T): | 300 MHz |
| VCE Sättigung (max.): | 1 V |
| Produkt-Art: | Transistor (BJT) – diskret |
| Marke | onsemi |
|---|---|
| Art.-Nr. | PN2222ATA |
| EAN | k.A. |
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